首页 > 金融理财

三星改良制程路线图:FinFET技术用到4nm

文章作者:来源:www.50x15.com时间:2019-11-11



我想分享2019.10.21热点技术

除了英特尔,几家铸造巨头已经将他们的工艺升级到了一位数。例如,三星的8纳米工艺和TSMC的7纳米工艺,尤其是TSMC的7纳米工艺,赢得了客户的好评,因此供不应求。 TSMC还表示,将大幅扩大其7纳米制程产品,同时将大规模生产5纳米产品。 三星最近宣布了其制造流程的最新修订。

source: WiKiChip

根据三星的声明,由于FinFET工艺的限制,三星计划从3纳米开始停止使用该工艺,从而切换到GAA MCFET工艺,这也将是三星的第一次启动。当然,三星声称FinFET工艺将分别用于当前的7纳米和未来的6纳米、5纳米和4纳米,6纳米LPP、5纳米LPE和4纳米LPE

事实上,三星称5纳米工艺是基于对目前7纳米LPP的改进。与7纳米相比,晶体管的密度主要增加。基于最新技术,晶体管的密度可以达到130毫瓦/平方毫米,也高于英特尔的10纳米和TSMC的7纳米

最后三星还表示,将在2021年实现4纳米工艺的大规模生产,晶体管密度将增加到137毫瓦/平方毫米,这也超过了TSMC 5纳米的性能水平。 然而,考虑到主要的巨人通常会放鸽子,4纳米能否在2021年成功大规模生产还有待观察。

收集报告投诉

除了英特尔,几家铸造巨头已经将他们的工艺升级到了一位数。例如,三星的8纳米工艺和TSMC的7纳米工艺,尤其是TSMC的7纳米工艺,赢得了客户的好评,因此供不应求。 TSMC还表示,将大幅扩大其7纳米制程产品,同时将大规模生产5纳米产品。 三星最近宣布了其制造流程的最新修订。

source: WiKiChip

根据三星的声明,由于FinFET工艺的限制,三星计划从3纳米开始停止使用该工艺,从而切换到GAA MCFET工艺,这也将是三星的第一次启动。当然,三星声称FinFET工艺将分别用于当前的7纳米和未来的6纳米、5纳米和4纳米,6纳米LPP、5纳米LPE和4纳米LPE

事实上,三星称5纳米工艺是基于对目前7纳米LPP的改进。与7纳米相比,晶体管的密度主要增加。基于最新技术,晶体管的密度可以达到130毫瓦/平方毫米,也高于英特尔的10纳米和TSMC的7纳米

最后三星还表示,将在2021年实现4纳米工艺的大规模生产,晶体管密度将增加到137毫瓦/平方毫米,这也超过了TSMC 5纳米的性能水平。 然而,考虑到主要的巨人通常会放鸽子,4纳米能否在2021年成功大规模生产还有待观察。

-